屠海令，男，汉族，1946年10月生，北京市人，1970年8月参加工作，1974年8月加入中国共产党，英国巴斯大学半导体材料物理专业毕业，研究生学历，博士学位，教授级高级工程师，博士生导师，中国工程院院士，半导体材料专家。

　　

　　学术成果

　　

　　长期从事硅、化合物半导体及稀土半导体材料研究。研究领域包括半导体单晶生长中的传质、传热过程，硅外延生长动力学，半导体材料表面物理化学，砷化镓晶体生长新技术，三元系化合物半导体晶格动力学，稀土半导体材料结构相变，硅基半导体材料的制备技术，半导体材料中缺陷与杂质互作用及缺陷工程，半导体材料检测技术等。获国家级、部级科技进步奖十余项，发表论文百余篇，出版著作五部。